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  • 28 2018-06
    快充EOS 应答计划OVP和TVS

    EOS是(shi)英(ying)文Electrical Over Stress的(de)首字(zi)母缩写(xie),其(qi)意为电(dian)(dian)(dian)气过(guo)应力 ,意义便(bian)是(shi)有(you)(you)太高(gao)的(de)电(dian)(dian)(dian)压和/或(huo)电(dian)(dian)(dian)流(liu)旌(jing)旗灯号(hao)加到了(le)受试工具上,它受不明晰(xi),被破(po)坏了(le),以(yi)是(shi)说“过(guo)”了(le)。 要天生EOS能够(gou)有(you)(you)三种方式(shi):高(gao)电(dian)(dian)(dian)压,大电(dian)(dian)(dian)流(liu),高(gao)电(dian)(dian)(dian)压+大电(dian)(dian)(dian)流(liu),实在ESD事务只(zhi)是(shi)EOS的(de)此中一(yi)种短(duan)时(shi)候(hou)的(de)高(gao)压,以(yi)是(shi)针对EOS,必(bi)必(bi)要斟酌更(geng)大的(de)电(dian)(dian)(dian)流(liu)和延续时(shi)候(hou)。 我...

  • 28 2018-06
    电池掩护利用防死锁电流的掩护器件

    AG下载电子供给(ji)知(zhi)足根(gen)本静电、浪涌掩(yan)护的(de)器件(jian)同时,研收回(hui)更高(gao)(gao)功(gong)效的(de)大(da)电流(liu)、防(fang)死锁的(de)高(gao)(gao)功(gong)率(lv)ESD器件(jian),即防(fang)Latch-up。 Latch up 是(shi)指cmos晶片(pian)中, 在(zai)电源power VDD和地线GND(VSS)之(zhi)间因为(wei)寄(ji)生的(de)PNP和NPN双极(ji)性BJT彼(bi)此影响(xiang)而发生的(de)一低(di) 阻抗通路, 它的(de)存在(zai)会使(shi)VDD和GND之(zhi)间发生大(da)电流(liu),因此生效。今朝IC集成(cheng)度愈来愈高(gao)(gao),Latch up...

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